6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF7S35120HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
0155
10 20
25
1
0
250
150
100
Pin, INPUT POWER (WATTS) PULSED
Figure 9. Pulsed Output Power versus
Input Power
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PULSED
200
6
15
0
60
100
50
30
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PULSED
Figure 10. Pulsed Power Gain and Drain Efficiency
versus Output Power ? 3100 MHz
G
ps
, POWER GAIN (dB)
η
D,
DRAIN EFFICIENCY (%)
13.5
300
25_C
TC
=--30_C
85_C
40
12
10.5
VDD
=32Vdc,IDQ
= 150 mA
Pulse Width = 100
μsec, Duty Cycle = 20%
VDD
=32Vdc,IDQ
= 150 mA, f = 3100 MHz
Pulse Width = 100
μsec, Duty Cycle = 20%
50
3100 MHz --30_C
3300 MHz --30_C
3100 MHz 25_C
3500 MHz --30_C
3300 MHz 25_C
3500 MHz 25_C
3100 MHz 85_C
3300 MHz 85_C
3500 MHz 85_C
9
7.5
10
20
10
Gps
ηD
-- 3 0_C
85_C
6
15
1
0
60
100
50
30
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PULSED
Figure 11. Pulsed Power Gain and Drain Efficiency
versus Output Power ? 3300 MHz
G
ps
, POWER GAIN (dB)
η
D,
DRAIN EFFICIENCY (%)
13.5
300
25_C
TC
=--30_C
85_C
40
12
10.5
VDD
=32Vdc,IDQ
= 150 mA, f = 3300 MHz
Pulse Width = 100
μsec, Duty Cycle = 20%
9
7.5
10
20
10
Gps
ηD
-- 3 0_C
85_C
25_C
25_C
6
15
1
0
60
100
50
30
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PULSED
Figure 12. Pulsed Power Gain and Drain Efficiency
versus Output Power ? 3500 MHz
G
ps
, POWER GAIN (dB)
η
D,
DRAIN EFFICIENCY (%)
13.5
300
25_C
TC
=--30_C
85_C
40
12
10.5
VDD
=32Vdc,IDQ
= 150 mA, f = 3500 MHz
Pulse Width = 100
μsec, Duty Cycle = 20%
9
7.5
10
20
10
Gps
ηD
-- 3 0_C
85_C
25_C
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